FDC3612
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDC3612

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDC3612-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 2.6A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

المخزون:

5524 قطع جديدة أصلية في المخزون
12847019
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDC3612 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
125mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
660 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SuperSOT™-6
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
FDC3612

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDC3612-DG
FDC3612CT
FDC3612TR
ONSONSFDC3612
FDC3612DKR
2156-FDC3612-OS

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDMA520PZ

MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET

onsemi

FQAF12P20

MOSFET P-CH 200V 8.6A TO3PF

onsemi

FDMS2734

MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP

onsemi

FQP9N08L

MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3