FDC637AN
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDC637AN

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDC637AN-DG

وصف:

MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

المخزون:

12361 قطع جديدة أصلية في المخزون
12838835
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDC637AN المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1125 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SuperSOT™-6
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
FDC637

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDC637AN-DG
2156-FDC637AN-OS
ONSONSFDC637AN
FDC637ANCT
FDC637ANDKR
FDC637ANTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

BSS214NW L6327

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3

onsemi

FQPF46N15

MOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F

onsemi

HUFA75307D3S

MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA

onsemi

FQD7N20LTM

MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK