رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDC640P

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDC640P-DG

وصف:

MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6

وصف تفصيلي:

P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

المخزون:

6642 قطع جديدة أصلية في المخزون

12840459

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDC640P المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

4.5A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

2.5V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

53mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

13 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±12V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

890 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.6W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

SuperSOT™-6

العبوة / العلبة

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

رقم المنتج الأساسي

FDC640

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDC640PTR

FDC640PCT

FDC640P-DG

FDC640PDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDMS3572

MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP

onsemi

NTMFS4C024NT3G

MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN

infineon-technologies

AUIRFS4310TRL

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

onsemi

ECH8308-TL-H

MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH