الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD068AN03L
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD068AN03L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 17A/35A TO252AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 35A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12837585
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD068AN03L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17A (Ta), 35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2525 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
80W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD068
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
FDD068AN03L
ورقة بيانات HTML
FDD068AN03L-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN3009SK3-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
817
DiGi رقم الجزء
DMN3009SK3-13-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TSM060N03CP ROG
المُصنِّع
Taiwan Semiconductor Corporation
الكمية المتاحة
6869
DiGi رقم الجزء
TSM060N03CP ROG-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFR3709ZTRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
11441
DiGi رقم الجزء
IRFR3709ZTRPBF-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD17NF03LT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3239
DiGi رقم الجزء
STD17NF03LT4-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMS8350LET40
MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56
FQB17N08TM
MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
HUFA76432S3ST
MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK
FQB6N70TM
MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK