FDD2670

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDD2670

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDD2670-DG

وصف:

MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252

وصف تفصيلي:

N-Channel 200 V 3.6A (Ta) 3.2W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

2496 قطع جديدة أصلية في المخزون

12847720

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDD2670 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

200 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

3.6A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

130mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

4.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

43 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1228 pF @ 100 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3.2W (Ta), 70W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

TO-252AA

العبوة / العلبة

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

رقم المنتج الأساسي

FDD267

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

اسماء اخرى

FDD2670TR

2156-FDD2670

FDD2670DKR

FDD2670CT

FDD2670-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDMS86350ET80

MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56

onsemi

FDN336P-NL

MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3

onsemi

FDB075N15A_SN00284

MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK

onsemi

FDWS9510L-F085

MOSFET P-CH 40V 50A 8DFN