رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD5353
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD5353-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 11.5A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
9054 قطع جديدة أصلية في المخزون
12838010
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD5353 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.5A (Ta), 50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12.3mOhm @ 10.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3215 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD535
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDD5353CT
FDD5353TR
2156-FDD5353TR
FDD5353DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSO040N03MSGXUMA1
MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
FQD1N60TF
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
FQPF9N08
MOSFET N-CH 80V 7A TO220F
