رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD6778A
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD6778A-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 12A (Ta), 10A (Tc) 3.7W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12839169
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD6778A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta), 10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
870 pF @ 13 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 24W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD677
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDD6778ACT
FDD6778ATR
FDD6778ADKR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPD135N03LGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
31780
DiGi رقم الجزء
IPD135N03LGATMA1-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQD5N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
FDS4072N7
MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
HUFA76443S3ST
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK