FDD6N20TF
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDD6N20TF

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDD6N20TF-DG

وصف:

MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 4.5A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

12849996
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDD6N20TF المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
800mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
230 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD6

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
FDD6N20TFCT
FDD6N20TFTR
FDD6N20TFDKR

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
RDD050N20TL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
20
DiGi رقم الجزء
RDD050N20TL-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
ZXMN20B28KTC
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
3100
DiGi رقم الجزء
ZXMN20B28KTC-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FQA9N50

MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3P

infineon-technologies

IPB45N06S3-16

MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOD450

MOSFET N-CH 200V 3.8A TO252

infineon-technologies

BSZ120P03NS3EGATMA1

MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON