رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD8444L-F085
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD8444L-F085-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 16A (Ta), 50A (Tc) 153W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12838581
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD8444L-F085 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Ta), 50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5530 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
153W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD8444
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDD8444L_F085TR-DG
FDD8444L-F085CT
FDD8444L_F085DKR
FDD8444L-F085DKR
FDD8444L-F085TR
FDD8444L_F085TR
FDD8444L_F085
FDD8444L_F085CT-DG
FDD8444L_F085CT
FDD8444L_F085DKR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPD90N04S4L04ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPD90N04S4L04ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQP3P50
MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3
FDH3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3
FDMS8027S
MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
