رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD86110
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD86110-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 12.5A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
335 قطع جديدة أصلية في المخزون
12839079
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD86110 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12.5A (Ta), 50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10.2mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2265 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 127W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD861
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDD86110CT
FDD86110TR
FDD86110-DG
ONSONSFDD86110
2156-FDD86110-OS
FDD86110DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK33S10N1Z,LQ
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
1940
DiGi رقم الجزء
TK33S10N1Z,LQ-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD100N10F7
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
5739
DiGi رقم الجزء
STD100N10F7-DG
سعر الوحدة
1.10
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDB12N50FTM-WS
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
BSB028N06NN3GXUMA1
MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
FDMS8848NZ
MOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN
