FDD86250
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDD86250

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDD86250-DG

وصف:

MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

1640 قطع جديدة أصلية في المخزون
12838703
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDD86250 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Ta), 50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
22mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2110 pF @ 75 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 132W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD862

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDD86250-DG
FDD86250CT
FDD86250TR
FDD86250DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IPD200N15N3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
51180
DiGi رقم الجزء
IPD200N15N3GATMA1-DG
سعر الوحدة
1.19
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDC2512

MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6

onsemi

HUFA75321D3ST

MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA

onsemi

FDS4070N3

MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO

onsemi

FDMS0308AS

MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN