رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD8796
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD8796-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
418 قطع جديدة أصلية في المخزون
12851412
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD8796 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2610 pF @ 13 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
88W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD879
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDD8796CT
FDD8796TR
FDD8796DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVD4C05NT4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NVD4C05NT4G-DG
سعر الوحدة
0.74
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PJD80N03_L2_00001
المُصنِّع
Panjit International Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
PJD80N03_L2_00001-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI2304-TP
MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
R6509ENJTL
MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
R6507KNJTL
MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
