رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD8876
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD8876-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 15A (Ta), 73A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
8387 قطع جديدة أصلية في المخزون
12849524
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD8876 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Ta), 73A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.2mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1700 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
70W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD887
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDD8876-DG
FDD8876DKR
FDD8876CT
FDD8876TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPD30N03S4L09ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
48073
DiGi رقم الجزء
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPD090N03LGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
94138
DiGi رقم الجزء
IPD090N03LGATMA1-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQD18N20V2TF
MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
AOT12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
FDD9407_SN00283
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
