FDFM2N111
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDFM2N111

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDFM2N111-DG

وصف:

MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 4A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm

المخزون:

12847802
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDFM2N111 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
273 pF @ 10 V
ميزة FET
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.7W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
MicroFET 3x3mm
العبوة / العلبة
6-WDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
FDFM2

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDFM2N111-DG
FDFM2N111CT
FDFM2N111TR
FDFM2N111DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NVMFS5C612NLWFT1G

MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN

onsemi

NTMSD2P102R2

MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC

onsemi

CPH6442-TL-W

MOSFET N-CH 60V 6A 6CPH

onsemi

FDMC8878_F126

MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP