FDG332PZ

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDG332PZ

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDG332PZ-DG

وصف:

MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88

وصف تفصيلي:

P-Channel 20 V 2.6A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12850436

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDG332PZ المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

2.6A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

1.8V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

95mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

10.8 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±8V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

560 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

750mW (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

SC-88 (SC-70-6)

العبوة / العلبة

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

رقم المنتج الأساسي

FDG332

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDG332PZTR

2832-FDG332PZ

ONSONSFDG332PZ

FDG332PZCT

2156-FDG332PZ-OS

FDG332PZDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDPF52N20T

MOSFET N-CH 200V 52A TO220F

onsemi

FQS4410TF

MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

onsemi

FCH165N60E

MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3

onsemi

FDB8442-F085

MOSFET N-CH 40V 28A TO263AB