رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDG6322C_D87Z
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDG6322C_D87Z-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 25V 220mA, 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
المخزون:
12846446
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDG6322C_D87Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
220mA, 410mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9.5pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-88 (SC-70-6)
رقم المنتج الأساسي
FDG6322
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDG6322C
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
29094
DiGi رقم الجزء
FDG6322C-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDG6303N_D87Z
MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC88
FDG6318PZ
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC88
AON3806
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8DFN
