رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDG6332C-PG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDG6332C-PG-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 700mA (Ta), 600mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
المخزون:
12973912
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
F0le
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDG6332C-PG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel Complementary
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
700mA (Ta), 600mA (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
113pF @ 10V, 114pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-88/SC70-6/SOT-363
رقم المنتج الأساسي
FDG6332
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
488-FDG6332C-PGTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMC2710UDW-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2616
DiGi رقم الجزء
DMC2710UDW-7-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
SIC 6N-CH 1200V 15A AG-EASY1B
MSCSM70DUM10T3AG
SIC 2N-CH 700V 241A SP3F
MSCSM70AM025CD3AG
SIC 700V 538A D3
