FDI2532
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDI2532

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDI2532-DG

وصف:

MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

المخزون:

12836349
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDI2532 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Ta), 79A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5870 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
310W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262 (I2PAK)
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
FDI2532

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FCU4300N80Z

MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

onsemi

FQP6P25

MOSFET P-CH 250V 6A TO220-3

onsemi

HUF76429S3S

MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

onsemi

CPH3355-TL-H

MOSFET P-CH 30V 2.5A 3CPH