رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMA8884
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMA8884-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta), 8A (Tc) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
المخزون:
12849180
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMA8884 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.5A (Ta), 8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
23mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
450 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.9W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-MicroFET (2x2)
العبوة / العلبة
6-WDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
FDMA88
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMA8884-DG
FAIFSCFDMA8884
FDMA8884DKR
2832-FDMA8884TR
FDMA8884TR
2156-FDMA8884-OS
FDMA8884CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMPB15XN,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
PMPB15XN,115-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AO6424
MOSFET N-CH 30V 5A 6TSOP
FQPF9N25CYDTU
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3
AON7408L
MOSFET N-CH 30V 7.5A/20A 8DFN
