FDMC4D9P20X8

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMC4D9P20X8

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMC4D9P20X8-DG

وصف:

MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

وصف تفصيلي:

P-Channel 20 V 18A (Ta), 75A (Tc) 2.4W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12837069

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDMC4D9P20X8 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

18A (Ta), 75A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

1.8V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

4.9mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.6V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

109 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±12V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

10550 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.4W (Ta), 40W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-PQFN (3.3x3.3)

العبوة / العلبة

8-PowerWDFN

رقم المنتج الأساسي

FDMC4

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

FDMC4D9P20X8-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDMC4D9P20X8-DG

488-FDMC4D9P20X8DKR

488-FDMC4D9P20X8CT

488-FDMC4D9P20X8TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

5HP01SS-TL-E

MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP3

onsemi

IRFS634B_FP001

MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220F

onsemi

IRF540N_R4942

MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3

onsemi

FCPF1300N80Z

MOSFET N-CH 800V 4A TO220F