FDMC510P

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMC510P

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMC510P-DG

وصف:

MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP

وصف تفصيلي:

P-Channel 20 V 12A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

المخزون:

49320 قطع جديدة أصلية في المخزون

12846248

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDMC510P المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

12A (Ta), 18A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

1.5V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

8mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

116 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±8V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

7860 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.3W (Ta), 41W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-MLP (3.3x3.3)

العبوة / العلبة

8-PowerWDFN

رقم المنتج الأساسي

FDMC510

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

2832-FDMC510PTR

FDMC510PTR

FDMC510PCT

FDMC510PDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FCPF11N60T

MOSFET N-CH 600V 11A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AOI4146

MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO251A

FDC3512

MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6

onsemi

FDMS7658AS

MOSFET N-CH 30V 29A/70A 8PQFN