رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMC5614P
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMC5614P-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
المخزون:
12839622
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMC5614P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1055 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-MLP (3.3x3.3)
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMC5614
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMC5614PDKR
FDMC5614PCT
FDMC5614PTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTTFS5116PLTAG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
10339
DiGi رقم الجزء
NTTFS5116PLTAG-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTTFS5116PLTWG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
6635
DiGi رقم الجزء
NTTFS5116PLTWG-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
ZXMP6A17E6TA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
19040
DiGi رقم الجزء
ZXMP6A17E6TA-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDPF20N50
MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
FQA65N20
MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN
FCH041N60F
MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3
