رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMC86106LZ-L701
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMC86106LZ-L701-DG
وصف:
FET 100V 103.0 MOHM MLP33
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) 2.3W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-WDFNW (3.3x3.3)
المخزون:
12974328
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMC86106LZ-L701 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
103mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
310 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.3W (Ta), 19W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-WDFNW (3.3x3.3)
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
488-FDMC86106LZ-L701TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDMC86116LZ
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
4978
DiGi رقم الجزء
FDMC86116LZ-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQ4483EY-T1_BE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
PJD14P06A_L2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ4476AP-AU_R2_000A1
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
