FDMD8560L

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMD8560L

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMD8560L-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 60V 22A, 93A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6

المخزون:

2932 قطع جديدة أصلية في المخزون

12850019

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDMD8560L المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Cut Tape (CT)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Obsolete

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 N-Channel (Half Bridge)

ميزة FET

-

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

22A, 93A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

3.2mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

3V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

128nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

11130pF @ 30V

الطاقة - الحد الأقصى

2.2W

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

8-PowerWDFN

حزمة جهاز المورد

8-Power 5x6

رقم المنتج الأساسي

FDMD8560

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDMD8560LTR

2156-FDMD8560L-488

2832-FDMD8560L

FDMD8560LDKR

FDMD8560LCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

alpha-and-omega-semiconductor

AO4892

MOSFET 2N-CH 100V 4A 8SOIC

onsemi

FD6M045N06

MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15

onsemi

FDS6990AS

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

onsemi

FDMS8090

MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56