FDMD8900
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMD8900

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMD8900-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5

المخزون:

12836397
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDMD8900 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A, 17A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2605pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
2.1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
12-PowerWDFN
حزمة جهاز المورد
12-Power3.3x5
رقم المنتج الأساسي
FDMD89

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2832-FDMD8900TR
FDMD8900TR
FDMD8900DKR
FDMD8900CT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

ECH8655R-R-TL-H

MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8

onsemi

FDME1024NZT

MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET

onsemi

FDMC007N30D

MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33

onsemi

FDMA1032CZ

MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET