رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMD8900
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMD8900-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
المخزون:
12836397
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMD8900 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A, 17A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2605pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
2.1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
12-PowerWDFN
حزمة جهاز المورد
12-Power3.3x5
رقم المنتج الأساسي
FDMD89
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2832-FDMD8900TR
FDMD8900TR
FDMD8900DKR
FDMD8900CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ECH8655R-R-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8
FDME1024NZT
MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET
FDMC007N30D
MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
