FDMS0309AS_SN00347
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMS0309AS_SN00347

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMS0309AS_SN00347-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

المخزون:

12846604
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDMS0309AS_SN00347 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®, SyncFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Ta), 49A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3000 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMS03

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
FDMS0309AS
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
5988
DiGi رقم الجزء
FDMS0309AS-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
DMT3004LPS-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2500
DiGi رقم الجزء
DMT3004LPS-13-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
alpha-and-omega-semiconductor

AON7421

MOSFET P-CH 20V 30A/50A 8DFN

onsemi

FQD12N20LTM

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

onsemi

FDMA410NZ

MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

onsemi

FDB6670AS

MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB