FDMS3669S
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMS3669S

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMS3669S-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 13A, 18A 1W Surface Mount Power56

المخزون:

190 قطع جديدة أصلية في المخزون
12851000
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDMS3669S المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A, 18A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.7V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1605pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد
Power56
رقم المنتج الأساسي
FDMS3669

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMS3669SCT
FDMS3669SDKR
2156-FDMS3669S-OS
2832-FDMS3669STR
FDMS3669STR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

EFC2J017NUZTDG

MOSFET 2N-CH 6WLCSP

alpha-and-omega-semiconductor

AO4818BL

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AONX38168

MOSFET 2N-CH 25V 25A/62A 8DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AON6978

MOSFET 2N-CH 30V 20A/28A 8DFN