رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMS7660
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMS7660-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 25A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
المخزون:
887 قطع جديدة أصلية في المخزون
12848457
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMS7660 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Ta), 42A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5565 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 78W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMS76
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMS7660DKR
FDMS7660CT
1990-FDMS7660DKR
1990-FDMS7660CT
FDMS7660TR
1990-FDMS7660TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVMFS6B14NLT3G
MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN
FDB8445
MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
FDS5351
MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC