رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMS86201
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMS86201-DG
وصف:
MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 120 V 11.6A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
المخزون:
5527 قطع جديدة أصلية في المخزون
12846538
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMS86201 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
120 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.6A (Ta), 49A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2735 pF @ 60 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMS86
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMS86201DKR
FDMS86201TR
FDMS86201CT
2156-FDMS86201-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCPF250N65S3L1
MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3
AO4407B
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
FCD7N60TF
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
