رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMT80080DC
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMT80080DC-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 36A (Ta), 254A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-Dual Cool™88
المخزون:
6688 قطع جديدة أصلية في المخزون
12839668
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMT80080DC المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
Dual Cool™, PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
36A (Ta), 254A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.35mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
273 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
20720 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.2W (Ta), 156W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-Dual Cool™88
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMT80080
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMT80080DCDKR
FDMT80080DCCT
FDMT80080DCTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQU2N50BTU-WS
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
FDS86140
MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
FDB9406-F085
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
