رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDN359BN
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDN359BN-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
129702 قطع جديدة أصلية في المخزون
12924765
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDN359BN المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
46mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
650 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
FDN359
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDN359BN_F095
FDN359BNOSDKR
FDN359BNFSCTINACTIVE
FDN359BN_F095DKR
FDN359BN-DG
FDN359BNFSTR-DG
FDN359BNDKR
FDN359BN_F095DKR-DG
FDN359BNFSDKR
FDN359BNFSCT
FDN359BN_F095TR-DG
FDN359BN_F095CT-DG
FDN359BNFSTRINACTIVE
FDN359BNF095
FDN359BNFSTR
FDN359BNFSDKR-DG
FDN359BNCT
FDN359BNFSCT-DG
FDN359BN_F095CT
FDN359BNTR-DG
FDN359BNOSCT
FDN359BNCT-DG
FDN359BNOSTR
FDN359BNDKR-DG
FDN359BNFSDKRINACTIVE
FDN359BNTR
FDN359BN_F095TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
JANTX2N6802
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO205AF
2SJ067400L
MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3
JANTXV2N6784
MOSFET N-CH 200V 2.25A TO205AF
