FDN5618P

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDN5618P

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDN5618P-DG

وصف:

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

وصف تفصيلي:

P-Channel 60 V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

المخزون:

31131 قطع جديدة أصلية في المخزون

12846740

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDN5618P المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

60 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

1.25A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

170mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

3V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

13.8 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

430 pF @ 30 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

500mW (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

SOT-23-3

العبوة / العلبة

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

رقم المنتج الأساسي

FDN5618

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDN5618PCT

2832-FDN5618PTR

FDN5618PDKR

FDN5618PTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDMS86255

MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56

infineon-technologies

IPA80R600P7XKSA1

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220

onsemi

FQD8P10TM_SB82052

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

onsemi

FDMC86183

MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN