رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP027N08B-F102
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP027N08B-F102-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
740 قطع جديدة أصلية في المخزون
12849985
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP027N08B-F102 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13530 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
246W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP027
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
FDP027N08B_F102
FDP027N08B_F102-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPC60N04S4L06ATMA1
MOSFET N-CH 40V 60A TDSON-8-23
AO4459L
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8SO
FDB088N08
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
