رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP045N10A-F032
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP045N10A-F032-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12972969
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP045N10A-F032 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5270 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
263W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
488-FDP045N10A-F032
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDP4D5N10C
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
670
DiGi رقم الجزء
FDP4D5N10C-DG
سعر الوحدة
2.68
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PSMN2R0-60ES,127
NEXPERIA PSMN2R0-60ES - 120A, 60
PJS6404_S1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJS6407_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
