FDP060AN08A0
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDP060AN08A0

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDP060AN08A0-DG

وصف:

MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 16A (Ta), 80A (Tc) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3

المخزون:

5669 قطع جديدة أصلية في المخزون
12923689
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDP060AN08A0 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Ta), 80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5150 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
255W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP060

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FQD9N08TM

MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK

onsemi

FQA12N60

MOSFET N-CH 600V 12A TO3P

microsemi

JAN2N6802

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO39

microsemi

JANTX2N6762

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO204AA