الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP39N20
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP39N20-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 39A (Tc) 251W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12848527
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP39N20 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
39A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
66mOhm @ 19.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2130 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
251W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP39
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FDP(F)39N20
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2166-FDP39N20-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP40NF20
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STP40NF20-DG
سعر الوحدة
1.71
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDP61N20
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
103
DiGi رقم الجزء
FDP61N20-DG
سعر الوحدة
1.10
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN057-200P,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
PSMN057-200P,127-DG
سعر الوحدة
1.38
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTP50N20P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
149
DiGi رقم الجزء
IXTP50N20P-DG
سعر الوحدة
2.26
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RCX330N25
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
382
DiGi رقم الجزء
RCX330N25-DG
سعر الوحدة
1.48
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQE10N20CTU
MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
FQP5N80
MOSFET N-CH 800V 4.8A TO220-3
NTMFD4951NFT1G
MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
FDPF16N50T
MOSFET N-CH 500V 16A TO220F