رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP8878
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP8878-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 40A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 40.5W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12837398
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP8878 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1235 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP88
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PSMN4R3-30PL,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4699
DiGi رقم الجزء
PSMN4R3-30PL,127-DG
سعر الوحدة
0.72
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN2R0-30PL,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
9215
DiGi رقم الجزء
PSMN2R0-30PL,127-DG
سعر الوحدة
1.11
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN022-30PL,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
8226
DiGi رقم الجزء
PSMN022-30PL,127-DG
سعر الوحدة
0.58
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRL3803PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3320
DiGi رقم الجزء
IRL3803PBF-DG
سعر الوحدة
0.84
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDFS6N754
MOSFET N-CH 30V 4A 8SOIC
FDI8442
MOSFET N-CH 40V 23A/80A I2PAK
FDS4685
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
