الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP8896
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP8896-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 92A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12921832
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP8896 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Ta), 92A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2525 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
80W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP88
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FDP8896 Datasheet
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
ONSONSFDP8896
2156-FDP8896-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PSMN4R3-30PL,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4699
DiGi رقم الجزء
PSMN4R3-30PL,127-DG
سعر الوحدة
0.72
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRLB8748PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4637
DiGi رقم الجزء
IRLB8748PBF-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN2R0-30PL,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
9215
DiGi رقم الجزء
PSMN2R0-30PL,127-DG
سعر الوحدة
1.11
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRL3803PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3320
DiGi رقم الجزء
IRL3803PBF-DG
سعر الوحدة
0.84
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP90NF03L
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1000
DiGi رقم الجزء
STP90NF03L-DG
سعر الوحدة
0.69
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
3LP01S-TL-E
MOSFET P-CH 30V 100MA SMCP
PSMN4R1-60YLX
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
NTMTS1D5N08H
T8-80V IN PQFN88 FOR INDU
ATP107-TL-H
MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK