رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS4885C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS4885C-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 40V 7.5A, 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12847523
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS4885C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.5A, 6A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
900pF @ 20V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FDS48
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMC4015SSD-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
13754
DiGi رقم الجزء
DMC4015SSD-13-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDSS2407
MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8SOIC
FDS9953A
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
FDMS3606AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56
