FDS6575

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDS6575

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDS6575-DG

وصف:

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

وصف تفصيلي:

P-Channel 20 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

11716 قطع جديدة أصلية في المخزون

12836740

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDS6575 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

10A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

2.5V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

13mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

74 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±8V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

4951 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.5W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-SOIC

العبوة / العلبة

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

رقم المنتج الأساسي

FDS65

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

اسماء اخرى

ONSONSFDS6575

FDS6575-DG

FDS6575TR

FDS6575CT

FDS6575DKR

2156-FDS6575-OS

2832-FDS6575

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDS6680S

MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC

onsemi

CPH3456-TL-W

MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH

onsemi

FDMS8888

MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN

onsemi

FDMC0310AS

MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP