رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS6912
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS6912-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12848801
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS6912 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
28mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
740pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FDS69
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS6912DKR
FDS6912CT
FDS6912-DG
FDS6912TR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STS8DNF3LL
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4847
DiGi رقم الجزء
STS8DNF3LL-DG
سعر الوحدة
0.45
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDS8984
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
42685
DiGi رقم الجزء
FDS8984-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CWDM305ND TR13 PBFREE
المُصنِّع
Central Semiconductor Corp
الكمية المتاحة
10045
DiGi رقم الجزء
CWDM305ND TR13 PBFREE-DG
سعر الوحدة
0.21
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOC2802_001
MOSFET 2N-CH 20V 6A 4WLCSP
AO6808
MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP
AO4801A
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC