رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS6961A
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS6961A-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12838682
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS6961A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
220pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FDS69
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS6961A-DG
FDS6961ATR
FAIFSCFDS6961A
FDS6961ACT
FDS6961ADKR
2156-FDS6961A-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDS6930B
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
970
DiGi رقم الجزء
FDS6930B-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
IRF9956TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
297
DiGi رقم الجزء
IRF9956TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.43
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
IRF7303TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRF7303TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EMH2417R-TL-H
MOSFET 2N-CH 12V 11A SOT383FL
FDW2521C
MOSFET N/P-CH 20V 5.5A 8TSSOP
FDS4895C
MOSFET N/P-CH 40V 5.5A 8SOIC