رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS7066N7
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS7066N7-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 23A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 23A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
المخزون:
12850056
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS7066N7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
69 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4973 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO FLMP
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
FDS70
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS7066N7CT
FDS7066N7_NLTR
FDS7066N7_NLCT
FDS7066N7_NLCT-DG
FDS7066N7TR-NDR
FDS7066N7TR
FDS7066N7_NL
FDS7066N7_NLTR-DG
FDS7066N7CT-NDR
FDS7066N7DKR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOTF12T50PL
MOSFET N-CH 500V 12A TO220-3F
AO4726
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
FQPF6N50
MOSFET N-CH 500V 3.6A TO220F
