FDS86242
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDS86242

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDS86242-DG

وصف:

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 4.1A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

27806 قطع جديدة أصلية في المخزون
12836480
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDS86242 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
67mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
760 pF @ 75 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
FDS86

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS86242CT
2156-FDS86242TR
FDS86242TR
FDS86242DKR
2832-FDS86242TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FQI12N60TU

MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK

onsemi

3LN01C-TB-E

MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

onsemi

FQP13N50C

MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3

onsemi

2SK4089LS

MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FI