الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS8958B
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS8958B-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
34375 قطع جديدة أصلية في المخزون
12848659
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS8958B المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Last Time Buy
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.4A, 4.5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
26mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
540pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FDS89
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FDS8958B Datasheet
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS8958BCT
2156-FDS8958B-OS
FDS8958BDKR
FDS8958BTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF9389TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
16231
DiGi رقم الجزء
IRF9389TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMC3028LSDX-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2405
DiGi رقم الجزء
DMC3028LSDX-13-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PJL9602_R2_00001
المُصنِّع
Panjit International Inc.
الكمية المتاحة
2159
DiGi رقم الجزء
PJL9602_R2_00001-DG
سعر الوحدة
0.21
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMC3025LSD-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
20339
DiGi رقم الجزء
DMC3025LSD-13-DG
سعر الوحدة
0.12
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMC3028LSD-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
29399
DiGi رقم الجزء
DMC3028LSD-13-DG
سعر الوحدة
0.15
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FW276-TL-2H
MOSFET 2N-CH 450V 0.7A 8SOIC
AO4830L
MOSFET 2N-CH 80V 3.5A 8SOIC
AON6910A
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/16A 8DFN
AO4618
MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOIC