FDU3706
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDU3706

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDU3706-DG

وصف:

MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 14.7A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 44W (Tc) Through Hole I-PAK

المخزون:

12850597
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDU3706 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14.7A (Ta), 50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1882 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 44W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
FDU37

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
75

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

R6006JND3TL1

MOSFET N-CH 600V 6A TO252

onsemi

FDN361BN

MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3

rohm-semi

R6006KND3TL1

MOSFET N-CH 600V 6A TO252

onsemi

FDP8442

MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3