رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDU5N50NZTU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDU5N50NZTU-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 4A (Tc) 62W (Tc) Through Hole DPAK3 (IPAK)
المخزون:
12847080
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDU5N50NZTU المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
440 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
62W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
DPAK3 (IPAK)
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
FDU5N50
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,040
اسماء اخرى
2832-FDU5N50NZTU-488
2156-FDU5N50NZTU-488
2832-FDU5N50NZTU
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTD24N06L
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
HUFA76419P3
MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
CPH6350-TL-E
MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
