FDU6N25
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDU6N25

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDU6N25-DG

وصف:

MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK

المخزون:

12850989
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDU6N25 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
250 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Stub Leads, IPak
رقم المنتج الأساسي
FDU6

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
70
اسماء اخرى
FDU6N25OS
2156-FDU6N25-OS
FDU6N25-DG
ONSONSFDU6N25

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IRFU224PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRFU224PBF-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDPF2D3N10C

MOSFET N-CH 100V 222A TO220F

onsemi

FDD26AN06A0-F085

MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA

infineon-technologies

IPP057N08N3GHKSA1

MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

onsemi

FDS6375

MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC