الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FJV3112RMTF
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FJV3112RMTF-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 40V SOT23-3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12835620
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FJV3112RMTF المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
40 V
المقاوم - القاعدة (R1)
47 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 1mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 1mA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
FJV311
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
FJV3112RMTF
ورقة بيانات HTML
FJV3112RMTF-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN1413(TE85L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
115
DiGi رقم الجزء
RN1413(TE85L,F)-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PDTC144TT,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
PDTC144TT,215-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDTC144TCA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
3896
DiGi رقم الجزء
DDTC144TCA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MMUN2214LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
90855
DiGi رقم الجزء
MMUN2214LT1G-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DTC144TCA-TP
المُصنِّع
Micro Commercial Co
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DTC144TCA-TP-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BCR 179L3 E6327
TRANS PREBIAS PNP 50V TSLP-3
BCR133WE6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
BCR119E6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
DTA144TT1
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59