الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FJV4104RMTF
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FJV4104RMTF-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12848252
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FJV4104RMTF المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
47 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
68 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
200 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
FJV410
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FJV4104RMTFCT
FJV4104RMTFDKR
FJV4104RMTF-DG
2156-FJV4104RMTF-488
FJV4104RMTFTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
MUN2111T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
11729
DiGi رقم الجزء
MUN2111T1G-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDTA144TCA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DDTA144TCA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MUN2137T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
MUN2137T1G-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MUN2113T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
15364
DiGi رقم الجزء
MUN2113T1G-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MMUN2113LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
53248
DiGi رقم الجزء
MMUN2113LT1G-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DRA3144W0L
TRANS PREBIAS PNP 50V SSSMINI3
SMMUN2233LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
NSVDTA113EM3T5G
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
DRA2522J0L
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A MINI3